項目背景:
氮化鋁（AlN）單晶材料在短波長光電子器件及新型電子器件方面有巨大的應用前景，大尺寸AlN單晶材料制備關鍵技術是當前亟待解決的重大科學問題。
探索在高溫高壓條件下用物理氣相傳輸法制備大尺寸AlN單晶的工藝條件和技術，
積極優(yōu)化和改進晶體生長設備，通過大量的實驗和理論研究逐步了解AlN單晶的生長規(guī)律，掌握制備大尺寸AlN單晶材料的關鍵技術，制備出2英寸以上的AlN單晶。
本項目的研究成果極大地提升氮化物半導體方面的原始創(chuàng)新能力和整體研究水平，增強國際競爭力。
我司的工作任務：
配合課題專家完成設備的軟控系統(tǒng)開發(fā)定制
技術亮點:
逸維產品包括半導體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產線控制系統(tǒng)。
專項定制
逸維產品包括半導體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產線控制系統(tǒng)。
專項定制
逸維產品包括半導體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產線控制系統(tǒng)。